FGA15N120ANDTU
IGBT 1200V 24A 200W TO3P
部件编号：
FGA15N120ANDTU
替代型号：
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 1200V 24A 200W TO3P
RoHS：
NO
FGA15N120ANDTU 规格
安装类型：
Through Hole
功率 - 最大：
200 W
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1200 V
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
IGBT类型：
NPT
集电极脉冲电流 (Icm)：
45 A
供应商设备包：
TO-3PN
栅极电荷：
120 nC
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
3.2V @ 15V, 15A
集电极电流 (Ic)（最大）：
24 A
反向恢复时间 (trr)：
330 ns
测试条件：
600V, 15A, 20Ohm, 15V
开关能量：
3.27mJ (on), 600µJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
90ns/310ns
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