FGA25N120ANDTU
IGBT 1200V 40A 310W TO3P
部件编号：
FGA25N120ANDTU
替代型号：
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 1200V 40A 310W TO3P
RoHS：
NO
FGA25N120ANDTU 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1200 V
集电极电流 (Ic)（最大）：
40 A
供应商设备包：
TO-3P
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
IGBT类型：
NPT
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
3.2V @ 15V, 25A
测试条件：
600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)：
350 ns
栅极电荷：
200 nC
集电极脉冲电流 (Icm)：
75 A
功率 - 最大：
310 W
Td（开/关）@ 25°C：
60ns/170ns
开关能量：
4.8mJ (on), 1mJ (off)
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