NE3508M04-T2-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
部件编号:
NE3508M04-T2-A
替代型号:
NE3508M04-A,SKY65050-372LF
制造商:
CEL (California Eastern Laboratories)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > RF FETs, MOSFETs >
描述:
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
RoHS:
NO
NE3508M04-T2-A 规格
额定电压:
4 V
电压 - 测试:
2 V
获得:
14dB
当前-测试:
10 mA
频率:
2GHz
额定电流(安培):
120mA
技术:
GaAs HJ-FET
包装/箱:
SOT-343F
噪声系数:
0.45dB
功率输出:
18dBm
供应商设备包:
F4TSMM, M04
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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