NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
部件编号:
NE3512S02-T1C-A
替代型号:
NE3512S02-A,CE3512K2-C1
制造商:
CEL (California Eastern Laboratories)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > RF FETs, MOSFETs >
描述:
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
RoHS:
NO
NE3512S02-T1C-A 规格
额定电压:
4 V
包装/箱:
4-SMD, Flat Leads
频率:
12GHz
电压 - 测试:
2 V
当前-测试:
10 mA
技术:
GaAs HJ-FET
获得:
13.5dB
噪声系数:
0.35dB
额定电流(安培):
70mA
供应商设备包:
S02
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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