PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
部件编号:
PHN210,118
替代型号:
制造商:
NXP Semiconductors
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
RoHS:
YES
PHN210,118 规格
安装类型:
Surface Mount
包装/箱:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:
8-SO
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss):
30V
工作温度:
-65°C ~ 150°C (TJ)
配置:
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.8V @ 1mA
功率 - 最大:
2W
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
6nC @ 10V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
100mOhm @ 2.2A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
250pF @ 20V
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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