IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
部件编号：
IXDN75N120
替代型号：
APT45GP120JDQ2,IXGN320N60A3,VS-GT180DA120U,IXYN140N120A4,IXYN120N120C3,VS-GT100DA120UF,FZ400R12KE4HOSA1,APT150GT120JR,STGE200NB60S,VS-GT80DA120U,VS-GT90DA120U,IXGN200N60B3,VS-GT55NA120UX,VS-GT55LA120UX,VS-GT90SA120U
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
描述：
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
RoHS：
YES
IXDN75N120 规格
安装类型：
Chassis Mount
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1200 V
配置：
Single
输入：
Standard
包装/箱：
SOT-227-4, miniBLOC
供应商设备包：
SOT-227B
NTC热敏电阻：
No
IGBT类型：
NPT
电流 - 集电极截止（最大）：
4 mA
集电极电流 (Ic)（最大）：
150 A
输入电容 (Cies) @ Vce：
5.5 nF @ 25 V
功率 - 最大：
660 W
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.7V @ 15V, 75A
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