EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
部件编号：
EM6K6T2R
替代型号：
XZCMEDGCBD56W,RB520CM-30T2R,BTE-040-01-F-D-A,FX10A-168P-SV1(71),BU4230FVE-TR,DM3BT-DSF-PEJS,NHDTC143ZUX,PM20B05VBDN,3214X-1-102E,APHHS1005LSECK/J3-PF,FX10A-168P-SV(71),FM20B05VBDN,PJ-057AH,APHD1608LCGCK,SIR870BDP-T1-RE3
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
RoHS：
YES
EM6K6T2R 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
配置：
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：
150mW
包装/箱：
SOT-563, SOT-666
漏源电压 (Vdss)：
20V
供应商设备包：
EMT6
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
300mA
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 1mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
25pF @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 300mA, 4V
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