AO4800B
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
AO4800B 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：
2W
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.9A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
27mOhm @ 6.9A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
630pF @ 15V
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