APTGT100A120D1G
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
部件编号：
APTGT100A120D1G
替代型号：
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
描述：
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
RoHS：
NO
APTGT100A120D1G 规格
安装类型：
Chassis Mount
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1200 V
输入：
Standard
IGBT类型：
Trench Field Stop
NTC热敏电阻：
No
配置：
Half Bridge
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止（最大）：
3 mA
输入电容 (Cies) @ Vce：
7 nF @ 25 V
包装/箱：
D1
供应商设备包：
D1
集电极电流 (Ic)（最大）：
150 A
功率 - 最大：
520 W
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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