APTM120A80FT1G
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
部件编号：
APTM120A80FT1G
替代型号：
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
RoHS：
NO
APTM120A80FT1G 规格
安装类型：
Chassis Mount
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
漏源电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 2.5mA
功率 - 最大：
357W
包装/箱：
SP1
供应商设备包：
SP1
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
14A
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
260nC @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
960mOhm @ 12A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
6696pF @ 25V
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