FGA15N120ANTDTU-F109
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
部件编号：
FGA15N120ANTDTU-F109
替代型号：
FGA15N120ANTDTU,NCD57000DWR2G,NCD5700DR2G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
RoHS：
YES
FGA15N120ANTDTU-F109 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1200 V
供应商设备包：
TO-3P
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
集电极电流 (Ic)（最大）：
30 A
测试条件：
600V, 15A, 10Ohm, 15V
集电极脉冲电流 (Icm)：
45 A
栅极电荷：
120 nC
IGBT类型：
NPT and Trench
反向恢复时间 (trr)：
330 ns
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.4V @ 15V, 15A
Td（开/关）@ 25°C：
15ns/160ns
功率 - 最大：
186 W
开关能量：
3mJ (on), 600µJ (off)
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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