EM6M1T2R
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
部件编号：
EM6M1T2R
替代型号：
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
RoHS：
YES
：
EM6M1T2R 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
功率 - 最大：
150mW
包装/箱：
SOT-563, SOT-666
供应商设备包：
EMT6
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
0.9nC @ 4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8Ohm @ 10mA, 4V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
13pF @ 5V
漏源电压 (Vdss)：
30V, 20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100mA, 200mA
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