ECH8619-TL-E
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
部件编号：
ECH8619-TL-E
替代型号：
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
RoHS：
NO
ECH8619-TL-E 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
包装/箱：
8-SMD, Flat Lead
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
功率 - 最大：
1.5W
漏源电压 (Vdss)：
60V
供应商设备包：
8-ECH
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
560pF @ 20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3A, 2A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
93mOhm @ 1.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12.8nC @ 10V
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