EM6J1T2R
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
部件编号：
EM6J1T2R
替代型号：
BLM15PX121SN1D,TLV7012DSGR,DMC2400UV-7,APBL3025SURKCGK-F01,DF13EA-10DP-1.25V(22),REF3112AQDBZRQ1,RUM002N02T2L,2336713-2,150044M155260,DMP31D7LVQ-7,TPS82150SILR,DF11CZ-4DP-2V(27),TPS2051CDBVR,EM6K7T2R,SN74AVC4T774PWR
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
RoHS：
YES
EM6J1T2R 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
功率 - 最大：
150mW
包装/箱：
SOT-563, SOT-666
漏源电压 (Vdss)：
20V
供应商设备包：
EMT6
配置：
2 P-Channel (Dual)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
200mA
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 100µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
1.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
115pF @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
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