SSM6N15AFE,LM
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
部件编号:
SSM6N15AFE,LM
替代型号:
SSM6N44FE,LM,74VHC14FT,NX3020NAKV,115,TC7SZ08FE,LJ(CT,SSM6J808R,LF,SSM3K37MFV,L3F,SSM3K15AMFV,L3F,SSM3J332R,LF,2SC2712-Y,LF,TLP291-4(GB-TP,E),TLP187(TPL,E,SSM3K72KFS,LF,AMN31112,TC7SZ125FU,LJ(CT
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
RoHS:
YES
SSM6N15AFE,LM 规格
安装类型:
Surface Mount
工作温度:
150°C (TJ)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss):
30V
配置:
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大:
150mW
包装/箱:
SOT-563, SOT-666
供应商设备包:
ES6
Vgs(th)(最大值)@Id:
1.5V @ 100µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
100mA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
13.5pF @ 3V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
4Ohm @ 10mA, 4V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:4855
数量
单价
国际价格
4000
0.07
280
8000
0.07
560
12000
0.06
720
28000
0.06
1680
100000
0.04
4000
200000
0.04
8000
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码