QS6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
部件编号：
QS6J11TR
替代型号：
DMP2200UDW-7,CMKDM8005 TR PBFREE,NTJD4152PT1G,MAX3250EAI+,HFW8R-1STE1H1LF,ASE-1.8432MHZ-L-C-T,AZ23C3V3-E3-08,TSM-105-01-T-SH,APXF100ARA271MF61G,TMS-103-02-L-S,NRPN221PAEN-RC,TSOP38438,NRPN051PAEN-RC,SC16IS750IBS,128,A3P125-VQG100
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
RoHS：
YES
QS6J11TR 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
功率 - 最大：
600mW
配置：
2 P-Channel (Dual)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)：
12V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
105mOhm @ 2A, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2A
供应商设备包：
TSMT6 (SC-95)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
6.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
770pF @ 6V
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