EM6M2T2R
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
部件编号：
EM6M2T2R
替代型号：
BLM18KG101TN1D,R3112N271A-TR-FE,PTS815 SJK 250 SMTR LFS,EM6K34T2CR,LM3670MFX-ADJ/NOPB,TS02-66-90-BK-260-SCR-D,FH19C-10S-0.5SH(10),SSM6L56FE,LM,BME280,SM02B-SURS-TF(LF)(SN),CFS-0401TB,ACAJ-110-T,LT3072IUFF#PBF,NHDTC143ZUX,RV-4162-C7-32.768KHZ-20PPM-TA-QC
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
RoHS：
YES
EM6M2T2R 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
功率 - 最大：
150mW
包装/箱：
SOT-563, SOT-666
漏源电压 (Vdss)：
20V
供应商设备包：
EMT6
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 1mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
25pF @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
200mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 200mA, 4V
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