EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
EPC2010 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
-40°C ~ 125°C (TJ)
包装/箱：
Die
供应商设备包：
Die
场效应管类型：
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
5V
技术：
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)：
200 V
Vgs（最大）：
+6V, -4V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 3mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7.5 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
540 pF @ 100 V
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