PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
部件编号:
PMDPB65UP,115
替代型号:
制造商:
NXP Semiconductors
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
RoHS:
YES
PMDPB65UP,115 规格
安装类型:
Surface Mount
工作温度:
150°C (TJ)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 250µA
包装/箱:
6-UDFN Exposed Pad
漏源电压 (Vdss):
20V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
6nC @ 4.5V
配置:
2 P-Channel (Dual)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
3.5A
供应商设备包:
6-HUSON (2x2)
功率 - 最大:
520mW
Rds On(最大)@Id、Vgs:
70mOhm @ 1A, 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
380pF @ 10V
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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