CSD86330Q3D
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
部件编号:
CSD86330Q3D
替代型号:
CSD87330Q3D,TPS43061RTER,TPS43061EVM-198,SM3ZS067U410-NUT1-R1200,TPS51200DRCT,CSD17303Q5,FL2400135Z,CSD87353Q5D,TPS51604DSGT,MSS1P3L-M3/89A,SN74AVC2T245RSWR,CSD86350Q5D,SP4044-04ATG,632722110112,CSD17310Q5A
制造商:
Texas Instruments
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
RoHS:
YES
CSD86330Q3D 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置:
2 N-Channel (Half Bridge)
功率 - 最大:
6W
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.1V @ 250µA
漏源电压 (Vdss):
25V
包装/箱:
8-PowerLDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
20A
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
6.2nC @ 4.5V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
9.6mOhm @ 14A, 8V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
920pF @ 12.5V
供应商设备包:
8-LSON (3.3x3.3)
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:25308
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