CSD86360Q5D
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
部件编号:
CSD86360Q5D
替代型号:
ISL95808IRZ-T,DRV8889QPWPRQ1,2171820001,TMP275AQDGKRQ1,SS4-10-3.00-L-D-K-TR,MAX20078AUE+,SEAFC-20-5.0-L-10-2-K-TR,PCA9306DCUR,SN74HCS138PWR,CSD88584Q5DC,MPM3610GQV-Z,PHB2UEETS1A,PI4ULS5V202XVEX,ISL95869IRTZ,2301996-7
制造商:
Texas Instruments
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
RoHS:
YES
CSD86360Q5D 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置:
2 N-Channel (Half Bridge)
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.1V @ 250µA
漏源电压 (Vdss):
25V
包装/箱:
8-PowerLDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
50A
供应商设备包:
8-LSON (5x6)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
12.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
2060pF @ 12.5
功率 - 最大:
13W
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:14780
数量
单价
国际价格
2500
1.39
3475
5000
1.33
6650
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