BSM180D12P2C101
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
部件编号：
BSM180D12P2C101
替代型号：
BSM180D12P3C007,BSM120C12P2C201,BSM180C12P3C202,BSM180D12P2E002,BSM250D17P2E004,CAS350M12BM3,BSM120D12P2C005,CAB425M12XM3,BSM600D12P3G001,BSM300D12P2E001,BSM080D12P2C008,TAS5431QPWPRQ1,BSM300C12P3E201,WAS530M12BM3,CAB008A12GM3T
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
RoHS：
YES
BSM180D12P2C101 规格
包装/箱：
Module
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
Module
技术：
Silicon Carbide (SiC)
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
漏源电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
204A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 35.2mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
23000pF @ 10V
功率 - 最大：
1130W
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