BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
部件编号：
BSM120D12P2C005
替代型号：
BSM250D17P2E004,BSM180D12P3C007,BSM300D12P2E001,CAB008M12GM3,BSM120C12P2C201,CCB021M12FM3,BSM180D12P2E002,BSM300D12P3E005,CAS120M12BM2,BSM400D12P3G002,CAB400M12XM3,APTMC120AM25CT3AG,BSM600D12P3G001,NXH004P120M3F2PTHG,MSCSM120TAM11CTPAG
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
RoHS：
YES
BSM120D12P2C005 规格
包装/箱：
Module
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
Module
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
漏源电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.7V @ 22mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
14000pF @ 10V
功率 - 最大：
780W
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