CSD87312Q3E
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
部件编号：
CSD87312Q3E
替代型号：
FDMD86100,CSD17308Q3,CSD87503Q3E,CSD25402Q3A,CSD87503Q3ET,LTC4365ITS8#TRMPBF,LM5116MHX/NOPB,STM32L031K6U6,CSD85312Q3E,TMUX1574RSVR,SIZF5300DT-T1-GE3,SSM6N35AFE,LF,100SXV6R8M,SC16IS762IBS,128,LTC4425EDD#TRPBF
制造商：
Texas Instruments
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
RoHS：
YES
CSD87312Q3E 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerTDFN
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual) Common Source
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
8.2nC @ 4.5V
功率 - 最大：
2.5W
供应商设备包：
8-VSON (3.3x3.3)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1250pF @ 15V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
27A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
33mOhm @ 7A , 8V
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