FGA15S125P
IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
部件编号：
FGA15S125P
替代型号：
NCD57000DWR2G,NCD5700DR2G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
RoHS：
YES
FGA15S125P 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench
供应商设备包：
TO-3P
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
集电极电流 (Ic)（最大）：
30 A
集电极脉冲电流 (Icm)：
45 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1250 V
功率 - 最大：
136 W
栅极电荷：
129 nC
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.72V @ 15V, 15A
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