GA20JT12-263
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
部件编号：
GA20JT12-263
替代型号：
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
RoHS：
YES
GA20JT12-263 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
175°C (TJ)
技术：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
供应商设备包：
TO-263-7
包装/箱：
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
45A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3091 pF @ 800 V
功耗（最大）：
282W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
60mOhm @ 20A
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