C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
部件编号：
C2M0080120D
替代型号：
C3M0065090D,C2M0040120D,C2M0025120D,SCT30N120,E3M0075120D,C4D10120D,C4D02120E,SIL05-1A72-71D,C3M0120065D,C3M0025065L-TR,C3D10060A,FAN9673Q,C3M0016120K,DIP12-2A72-21L,G6S-2 DC3,MGJ2D121505SC,MGJ2D241505SC,MGJ2D051505SC,MGJ3T12150505MC-R7,MGJ2D151505SC,MGJ3T24150505MC-R7,MGJ3T05150505MC-R7,MGJ3T12150505MC-R13,MGJ3T24150505MC-R13,MGJ3T05150505MC-R13
制造商：
Wolfspeed
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
RoHS：
YES
C2M0080120D 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247-3
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）：
+25V, -10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
36A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 5mA
功耗（最大）：
192W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
98mOhm @ 20A, 20V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
62 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
950 pF @ 1000 V
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