PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
部件编号：
PMDPB56XN,115
替代型号：
制造商：
NXP Semiconductors
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
RoHS：
YES
PMDPB56XN,115 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
包装/箱：
6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.1A
功率 - 最大：
510mW
供应商设备包：
6-HUSON (2x2)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
170pF @ 15V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
2.9nC @ 4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
73mOhm @ 3.1A, 4.5V
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