SSM6L09FUTE85LF
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
部件编号：
SSM6L09FUTE85LF
替代型号：
SSM3J356R,LF,DMG1016UDW-7,SSM6N16FUTE85LF,ASMB-MTB0-0B3A2,SSM6J50TU,LF,SI1539CDL-T1-GE3,NX3008CBKS,115,BSS8402DW-7-F,HSMZ-A100-T00J1,DMG6601LVT-7
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
RoHS：
YES
SSM6L09FUTE85LF 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
功率 - 最大：
300mW
供应商设备包：
US6
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.8V @ 100µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
20pF @ 5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
400mA, 200mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
700mOhm @ 200MA, 10V
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