SSM6N58NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
部件编号:
SSM6N58NU,LF
替代型号:
SSM6N57NU,LF,IRLHS6376TRPBF,0525591834,DMN3032LFDB-7,SSM6N56FE,LM,2121340004,SSM6L61NU,LF,QS5K2TR,AOSD32334C,B2B-PH-K-S,FDMA2002NZ,UM6K33NTN,AXT526124,SSM6N7002KFU,LF,THB001P
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
RoHS:
YES
SSM6N58NU,LF 规格
安装类型:
Surface Mount
包装/箱:
6-WDFN Exposed Pad
工作温度:
150°C (TJ)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss):
30V
配置:
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大:
1W
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 1mA
供应商设备包:
6-UDFN (2x2)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
4A
场效应管特性:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Rds On(最大)@Id、Vgs:
84mOhm @ 2A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
1.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
129pF @ 15V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:149555
数量
单价
国际价格
3000
0.13
390
6000
0.13
780
9000
0.11
990
30000
0.11
3300
75000
0.11
8250
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