2N6849
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
部件编号：
2N6849
替代型号：
2N3700,TCM3105NL,VAOL-S12GT4,5973001202NF,2N2222A,1N4976,BYW29-200G,2N2907A PBFREE,V82RA16,MMPQ2222A
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
RoHS：
NO
2N6849 规格
安装类型：
Through Hole
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
TO-39
包装/箱：
TO-205AF Metal Can
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6.5A (Tc)
功耗（最大）：
800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
320mOhm @ 6.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
34.8 nC @ 10 V
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制造商标准交期：待定
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