2N6764T1
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
2N6764T1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
TO-204AE
供应商设备包：
TO-3
功耗（最大）：
4W (Ta), 150W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
38A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
125 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
65mOhm @ 38A, 10V
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