C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
部件编号：
C2M1000170D
替代型号：
MGJ2D121505SC,MGJ2D241505SC,MGJ2D051505SC,MGJ3T12150505MC-R7,MGJ2D151505SC,MGJ3T24150505MC-R7,MGJ3T05150505MC-R7,MGJ3T12150505MC-R13,MGJ3T24150505MC-R13,MGJ3T05150505MC-R13,C2M1000170J,G2R1000MT17D,SICW1000N170A-BP,IXTH2N170D2,MSC750SMA170B,WA-T247-101E,DN2540N5-G,MSC750SMA170B4,C3M0120065K,IXDN609SI,UF3C065030K3S,2N2222A,BZT52C20TQ-7-F,ACNT-H79A-500E,UCC28C43QDRQ1
制造商：
Wolfspeed
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
RoHS：
YES
C2M1000170D 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247-3
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）：
+25V, -10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 500µA
功耗（最大）：
69W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
1700 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.9A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.1Ohm @ 2A, 20V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
191 pF @ 1000 V
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