C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
部件编号：
C2M0160120D
替代型号：
C2M0040120D,C2M0280120D,C2M0080120D,IXFH40N85X,20021221-00060T4LF,03540101ZXGY,C3D16065D,C3M0120065K,C3M0120065D,C2M0025120D,150060RS75000,RP-1212D,MMSZ5253C-E3-08,NTHL160N120SC1,C3M0040120D,MGJ2D121505SC,MGJ2D241505SC,MGJ2D051505SC,MGJ3T12150505MC-R7,MGJ2D151505SC,MGJ3T24150505MC-R7,MGJ3T05150505MC-R7,MGJ3T12150505MC-R13,MGJ3T24150505MC-R13,MGJ3T05150505MC-R13
制造商：
Wolfspeed
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
RoHS：
YES
C2M0160120D 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247-3
功耗（最大）：
125W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）：
+25V, -10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
19A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 500µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
196mOhm @ 10A, 20V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
32.6 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
527 pF @ 800 V
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