CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
部件编号:
CSD85312Q3E
替代型号:
TPS25830AQCWRHBRQ1,TPS25830QWRHBTQ1,ACP3225-501-2P-T000,DP83867ERGZT,LTC4365HDDB#TRMPBF,DF61Y-2P-2.2V(23),XZFBBZEBM2DGZ157W,TPS259470LRPWR,CDCI6214RGET,PCMF3HDMI2SZ,TPS1H100BQPWPRQ1,USB4200-03-A,SIT1566AI-JE-18E-32.768E,ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3,INA226AQDGSRQ1
制造商:
Texas Instruments
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
RoHS:
YES
CSD85312Q3E 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱:
8-PowerVDFN
漏源电压 (Vdss):
20V
配置:
2 N-Channel (Dual) Common Source
Vgs(th)(最大值)@Id:
1.4V @ 250µA
功率 - 最大:
2.5W
场效应管特性:
Logic Level Gate, 5V Drive
供应商设备包:
8-VSON (3.3x3.3)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
39A
Rds On(最大)@Id、Vgs:
12.4mOhm @ 10A, 8V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
15.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
2390pF @ 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:9403
数量
单价
国际价格
2500
0.56
1400
5000
0.54
2700
12500
0.51
6375
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