TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
部件编号：
TPN11006NL,LQ
替代型号：
CSD18543Q3A,DMN67D8L-7,DX07S016JA3R1500,UCC27511DBVR,MMICT3903-00-012,LMR23625CDDAR,BSS138,691322110003,NCP133AMXADJTCG,7V-19.200MDDJ-T,BSS138,TPS92200D1DDCR,691361100004,S558-5999-T7-F,MMBT3904-G
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
RoHS：
YES
TPN11006NL,LQ 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
包装/箱：
8-PowerVDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
17A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
23 nC @ 10 V
供应商设备包：
8-TSON Advance (3.1x3.1)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2000 pF @ 30 V
功耗（最大）：
700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 200µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
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