C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
部件编号：
C2M0280120D
替代型号：
G3R160MT12D,C3M0065090D,C2M0160120D,C3M0120065K,C4D05120A,C2M1000170D,C3M0120065D,GP2T080A120U,C3M0015065D,C3M0350120D,C3M0075120K,G3R350MT12D,C3M0021120D,G2R1000MT17D,E3M0075120D
制造商：
Wolfspeed
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
RoHS：
YES
C2M0280120D 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247-3
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）：
+25V, -10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10A (Tc)
功耗（最大）：
62.5W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
370mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.8V @ 1.25mA (Typ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
20.4 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
259 pF @ 1000 V
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标准包装数量：15950
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