QJD1210011
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
部件编号:
QJD1210011
替代型号:
制造商:
Powerex, Inc.
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
RoHS:
YES
QJD1210011 规格
安装类型:
Chassis Mount
功率 - 最大:
900W
包装/箱:
Module
供应商设备包:
Module
工作温度:
-40°C ~ 175°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
技术:
Silicon Carbide (SiC)
漏源电压 (Vdss):
1200V (1.2kV)
配置:
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th)(最大值)@Id:
5V @ 10mA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
25mOhm @ 100A, 20V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
500nC @ 20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
10200pF @ 800V
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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