CAS120M12BM2
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
部件编号：
CAS120M12BM2
替代型号：
CGD1200HB2P-BM2,CAB400M12XM3,CAS175M12BM3,CCB021M12FM3,CAS350M12BM3,CAB008M12GM3,CAB016M12FM3,CAB011M12FM3,CAB450M12XM3,BSM120D12P2C005,CAS300M12BM2,WAB300M12BM3,WAS175M12BM3,DFA200AA160,CCB016M12GM3,MGJ2D121505SC,MGJ2D241505SC,MGJ2D051505SC,MGJ3T12150505MC-R7,MGJ2D151505SC,MGJ2D152005SC,MGJ3T24150505MC-R7,MGJ3T05150505MC-R7,MGJ3T12150505MC-R13,MGJ3T24150505MC-R13,MGJ3T05150505MC-R13
制造商：
Wolfspeed
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
RoHS：
YES
CAS120M12BM2 规格
安装类型：
Chassis Mount
包装/箱：
Module
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
Module
技术：
Silicon Carbide (SiC)
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
漏源电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
功率 - 最大：
925W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
193A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
16mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.6V @ 6mA (Typ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
378nC @ 20V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
6470pF @ 800V
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