HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
部件编号:
HS8K11TB
替代型号:
制造商:
ROHM Semiconductor
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
RoHS:
YES
HS8K11TB 规格
安装类型:
Surface Mount
工作温度:
150°C (TJ)
包装/箱:
8-UDFN Exposed Pad
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss):
30V
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.5V @ 1mA
配置:
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大:
2W
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
7A, 11A
Rds On(最大)@Id、Vgs:
17.9mOhm @ 7A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
11.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
500pF @ 15V
供应商设备包:
HSML3030L10
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:2972
数量
单价
国际价格
3000
0.25
750
6000
0.24
1440
9000
0.22
1980
30000
0.22
6600
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