QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
部件编号：
QH8MA2TCR
替代型号：
ADR391AUJZ-REEL7,VS100VLNVWMTR,SN74LVC1G04DBVR,686104183522,BD9E302EFJ-E2,ASEM1-16.000MHZ-LC-T,PIC32CX1025MTG128-I/X9B,RUR040N02TL,FA-20H 24.0000MF20X-K3,SMD0805B010TF,DF2S6.8UCT,L3F,BD9D320EFJ-E2,10129383-912001ALF,B0540WS-7,QS8M51TR
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
RoHS：
YES
QH8MA2TCR 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 1mA
供应商设备包：
TSMT8
功率 - 最大：
1.25W
Rds On（最大）@Id、Vgs：
35mOhm @ 4.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
8.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
365pF @ 10V
包装/箱：
8-SMD, Flat Leads
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.5A, 3A
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