SSM6N56FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
部件编号：
SSM6N56FE,LM
替代型号：
RB531SM-30T2R,M1MA151KT1G,SSM6L14FE(TE85L,F),FDY302NZ,SSM6N35AFE,LF,SSM3K345R,LF,SI2301CDS-T1-GE3,BLM18EG221SN1D,MT25QU512ABB8ESF-0SIT,SSM3J331R,LF,SSM6L56FE,LM,VZ30C1T8219732L,LM4040D41IDBZR,EZA-EG2A50AX,MAX40203AUK+T
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
RoHS：
YES
SSM6N56FE,LM 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：
150mW
包装/箱：
SOT-563, SOT-666
供应商设备包：
ES6
漏源电压 (Vdss)：
20V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
1nC @ 4.5V
场效应管特性：
Logic Level Gate, 1.5V Drive
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
800mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
235mOhm @ 800mA, 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
55pF @ 10V
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