FGA25S125P-SN00337
IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN
部件编号：
FGA25S125P-SN00337
替代型号：
NCD57000DWR2G,NCD5700DR2G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN
RoHS：
YES
FGA25S125P-SN00337 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
集电极电流 (Ic)（最大）：
50 A
IGBT类型：
Trench Field Stop
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
功率 - 最大：
250 W
测试条件：
600V, 25A, 10Ohm, 15V
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1250 V
供应商设备包：
TO-3PN
集电极脉冲电流 (Icm)：
75 A
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.35V @ 15V, 25A
开关能量：
1.09mJ (on), 580µJ (off)
栅极电荷：
204 nC
Td（开/关）@ 25°C：
24ns/502ns
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