EM6K1T2R
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
部件编号：
EM6K1T2R
替代型号：
NX3020NAKV,115,ADR512ARTZ-REEL7,SSM6N15AFE,LM,AP2138N-3.0TRG1,PMEG2005CT,215,SZESD8472MUT5G,SM02B-SURS-TF(LF)(SN),9DMV0141AKILFT,2N7002W,SJ-2524-SMT-TR,MX25U12832FZNI02,EM6M2T2R,TPS548A20RVER,SST25VF040B-50-4I-SAE-T,SI53102-A3-GMR
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
RoHS：
YES
：
EM6K1T2R 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
配置：
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：
150mW
包装/箱：
SOT-563, SOT-666
供应商设备包：
EMT6
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 100µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
13pF @ 5V
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