FGA25N120ANTDTU
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
部件编号:
FGA25N120ANTDTU
替代型号:
FGA25N120ANTDTU-F109,IPP65R060CFD7XKSA1,FGH60N60SMD,HGTG11N120CND,IKW25N120H3FKSA1
制造商:
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
描述:
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
RoHS:
YES
FGA25N120ANTDTU 规格
安装类型:
Through Hole
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿(最大):
1200 V
集电极电流 (Ic)(最大):
50 A
供应商设备包:
TO-3P
包装/箱:
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型:
Standard
测试条件:
600V, 25A, 10Ohm, 15V
集电极脉冲电流 (Icm):
90 A
反向恢复时间 (trr):
350 ns
栅极电荷:
200 nC
功率 - 最大:
312 W
IGBT类型:
NPT and Trench
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic:
2.65V @ 15V, 50A
开关能量:
4.1mJ (on), 960µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C:
50ns/190ns
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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