NE3509M04-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
部件编号：
NE3509M04-A
替代型号：
NE3509M04-T2-A
制造商：
CEL (California Eastern Laboratories)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
RF FETs, MOSFETs >
描述：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
RoHS：
NO
NE3509M04-A 规格
额定电压：
4 V
电压 - 测试：
2 V
当前-测试：
10 mA
频率：
2GHz
技术：
GaAs HJ-FET
获得：
17.5dB
包装/箱：
SOT-343F
噪声系数：
0.4dB
额定电流（安培）：
60mA
功率输出：
11dBm
供应商设备包：
M04
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标准包装数量：1600
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