IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
رقم الجزء:
IRFH5010TRPBF
الموديل البديل:
IRFH5010TR2PBF  ,  1EDN7512BXTSA1  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS2011STRPBF  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  IRLH5030TRPBF  ,  SP4065-08ATG  ,  TLV6703QDSERQ1  ,  IPD220N06L3GATMA1  ,  TDA08H0SB1  ,  ATL431LIAQDQNR  ,  IRLML9301TRPBF  ,  SQ1464EEH-T1_GE3  ,  ZXMP6A17E6QTA  ,  FDMS86150  ,  IRFH5015TRPBF  ,  NSR20F30NXT5G  ,  IRLML0060TRPBF  ,  LT4356HDE-1#PBF  ,  STL100N10F7
صانع:
IR (Infineon Technologies)
تصنيف .:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
وصف:
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
روهس:
YES
IRFH5010TRPBF مواصفة
نوع التركيب:
Surface Mount
نوع فيت:
N-Channel
تكنولوجيا:
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى):
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss):
100 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق):
10V
درجة حرارة التشغيل:
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية:
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد:
8-PQFN (5x6)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
98 nC @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف:
4V @ 150µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds:
4340 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs:
9mOhm @ 50A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية:
13A (Ta), 100A (Tc)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
3.6W (Ta), 250W (Tc)
استفسار سريع
الشركة المصنعة القياسية التسليم:غير محدد
معيار كمية التعبئة والتغليف:1600
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار الدولية
نصيحة => يرجى ملء النموذج أدناه . سوف نتصل بك في أقرب وقت ممكن .
اسم الشركة:
من فضلك أدخلاسم الشركة
اسم:
من فضلك أدخلاسم
تلفون .:
من فضلك أدخلتلفون .
صندوق البريد:
من فضلك أدخلصندوق البريد
الكمية:
من فضلك أدخلالكمية
وصف:
من فضلك أدخلوصف
رمز التحقق:
الرجاء إدخال رمز التحقق