SI7904BDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Número de pieza：
SI7904BDN-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI7232DN-T1-GE3 , SI7904BDN-T1-E3 , DMP2123L-7 , SISB46DN-T1-GE3 , SI7216DN-T1-E3 , SIS990DN-T1-GE3 , ADG719BRTZ-REEL7 , AONR21357 , 5M1270ZT144C5N , SI4204DY-T1-GE3 , HCPL-817-56DE , SIA906EDJ-T1-GE3 , SI7106DN-T1-E3 , TL431BIDBZR , SQA410EJ-T1_GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
RoHS：
YES
SI7904BDN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Potencia - Máx.：
17.8W
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
24nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
860pF @ 10V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4505
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.57
1710
6000
0.55
3300
9000
0.53
4770
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