US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Número de pieza：
US6M11TR
Modelo alternativo：
2SCR573D3TL1 , TMP75CQDRQ1 , DMN10H170SVTQ-7 , DTA114EU3T106 , DTA143EU3T106 , SSM6L39TU , LF , SSM6L56FE , LM , PJ-036AH-SMT-TR , DMN2004VK-7 , LTC6404HUD-1#PBF , SN74AHC123APWR , US6M2TR , QS6K1TR , DTD113ZUT106 , RJP020N06T100
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
RoHS：
YES
US6M11TR Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
6-SMD, Flat Leads
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración：
N and P-Channel
Función FET：
Logic Level Gate
Potencia - Máx.：
1W
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1mA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TUMT6
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
1.8nC @ 4.5V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
110pF @ 10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V, 12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
1.5A, 1.3A
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Número de envases estándar：15203
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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6000
0.23
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9000
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30000
0.21
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