SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Número de pieza：
SI1900DL-T1-E3
Modelo alternativo：
FDG6303N , SIA906EDJ-T1-GE3 , FDG8850NZ , MCP619T-I/ST , BSS84LT1G , SI2303CDS-T1-E3 , DMN3190LDW-7 , MCP2021AT-330E/MD
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
RoHS：
YES
SI1900DL-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor：
SC-70-6
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Potencia - Máx.：
270mW
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
1.4nC @ 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
590mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
480mOhm @ 590mA, 10V
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